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根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校国家脉冲强磁场科学中心宋运兴老师团队的“一种指纹形矢量磁体等4项专利”成果转化相关事项公示如下：

一、成果名称及简介

成果包含4项知识产权：

（1）发明专利：一种指纹形矢量磁体

发明人：宋运兴，黎江蓝，程志文

专利号：ZL202510536067.5

专利权人：华中科技大学

简介：本申请属于磁体领域，具体公开了一种指纹形矢量磁体及其获取方法；具体包括：至少一个具有两瓣中心对称的指纹形线圈、和／或多匝筒式线圈；指纹形线圈和多匝筒式线圈均分布在同心的圆柱面上，且指纹形线圈和多匝筒式线圈的半径均不相同，使指纹形线圈和多匝筒式线圈相互嵌套；多匝筒式线圈用于在电流的作用下产生沿圆柱面轴心方向的均匀磁场；指纹形线圈用于在电流的作用下产生垂直于轴心方向的均匀磁场。本申请磁场调控便捷且控制精度较高。

（2）发明专利：一种超导磁体室温加工尺寸和位置的获取方法

发明人：宋运兴，程志文，彭伟杰，黎江蓝

专利号：ZL202410591914.3

专利权人：华中科技大学

简介：本申请属于超导磁体技术领域，具体公开了一种超导磁体室温加工尺寸和位置的获取方法，S100：以超导线室温尺寸进行超导线圈电磁设计，获得励磁后超导线圈尺寸和位置；S201-S202：以S100算得数据设计骨架，对磁体加载历史力学分析，提取超导线圈尺寸和位置变化以及励磁后超导线尺寸；S300：以获得的数据更新S100；S400：以步骤S202、S300等的数据反推步骤S300中励磁后超导线圈对应的绕制前超导线圈尺寸和位置；S500：对步骤S400的成果做力学分析，获得励磁后超导线圈尺寸和位置；S600：对步骤S300和步骤S500的励磁后超导线圈尺寸和位置的误差与容差比较，进行S300‑S500的数据迭代，确定超导磁体的室温加工尺寸。本申请能够降低超导线的尺寸、超导线圈尺寸和位置变化对磁场均匀度的影响。

（3）发明专利：一种超导磁体锻炼失超辅助和保护装置及超导磁体系统

发明人：宋运兴，程志文，彭伟杰，郑恒康

专利号：ZL202310528018.8

专利权人：华中科技大学

简介：本发明公开了一种超导磁体锻炼失超辅助和保护装置及超导磁体系统，该装置包括耦合线圈部件、电流调制部件和控制部件，耦合线圈部件采用耦合线圈组或耦合单线圈，耦合线圈部件设置在超导线圈对应位置的内侧；控制部件用于在超导磁体升场过程中，控制电流调制部件向耦合线圈部件通入第一负正弦半波脉冲电流以产生第一脉冲磁场，使得超导线圈在第一脉冲磁场作用下感应出脉冲电流，从而使得超导线圈在其感应的脉冲电流和耦合线圈部件的第一脉冲磁场的共同作用下，产生相应的脉冲安培力，进而触发超导磁体提前失超以实现超导磁体失超保护。本发明可在与超导磁体没有接触的状态下调控超导磁体电流，进而实现超导磁体安全、可靠的锻炼失超辅助和保护。

（4）发明专利：一种超导磁共振磁体被动匀场优化设计方法及系统

发明人：宋运兴，彭伟杰

专利号：ZL202310078452.0

专利权人：华中科技大学

简介：本发明提供了一种超导磁共振磁体被动匀场优化设计方法及系统，属于超导磁体系统优化技术领域，方法包括：通过蒙特卡罗模拟由几何参数和电磁参数公差导致的磁场漂移情况，得到n组待匀场的裸磁场组；根据磁体尺寸要求，选取四个匀场因素的取值范围，构建DOE试验组；对各个试验组利用二分改进OTMF算法，以使用匀场片总厚度最小为目标函数，对不均匀度最大的裸磁场进行匀场；根据匀场结果选取若干种匀场设计方法；分别在若干种匀场设计方法下，对n组待匀场的裸磁场组进行匀场；选取匀场效果最佳的匀场设计方法作为最佳被动匀场优化设计。本发明通过设计四个匀场因素完成对超导磁共振磁体的被动匀场优化。

二、拟交易价格

协议转让：40万元。

三、价格形成过程

学校委托评估公司对该项目进行资产评估，基于评估价参考，经全体发明人同意，并与武汉超磁科技有限公司协商，双方同意以协议定价40万元实施转让。

特此公示，公示期15日，自2025年12月17日起至2025年12月31日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：尹老师、徐老师

联系电话：87558732

科学技术发展院

2025年12月17日